财联社926讯（编辑史正丞）随着“AI风”9再度猛吹存储芯片概念，包括“HBM三雄”SK海力士、三星、美光，以及闪迪、西数等产业链公司都迎来了新一轮斜率陡峭涨势头。

近几个快速涨，背是资本市场半导体内存供需景重新定价。HBM芯片强劲需求自然不必多言，近期随着eSSD（企业级固态存储）遭到超大规模云厂商集中加单传闻，近两年投资不足NAND市场也开始进“量价齐升”热炒状态。

知名投行摩根大通此曾预期，全球存储芯片市场将在2027年持续处于结构性增长周期，届时全球内存半导体可寻址市场（TAM）将达到3000亿美元。伴随公司盈利能力现结构性改善，投资者不应再拿过往估值水平进行比较。

包括资深科技产业分析师Jay Kwon在内摩根大通分析师也在近期趋势展望中指，近期大涨，未来6-12个存储行业风险收益结构依旧偏多。考虑到AI需求强劲趋势，供需紧张将在2027年新建产能释放之持续存在。

Jay Kwon等分析师主要研判包括：

定制化HBM重塑存储角色

报告指，定制化HBM（cHBM）正重塑存储角色，从过去被动元件演变为具备逻辑计算能力主动部件。在数颗芯片无缝连接环境，存储在AI基础设施中TCO（总拥有成本）不断升。

目多家存储厂商已经与客户开展定制化HBM合作。定制化HBM将集成不同功能、运算能力及逻辑die设计，例如LPDDR与HBM并行工作，在HBM堆栈中加计算逻辑，成为性能差异化关键。存储厂商已开始提供覆盖HBM、逻辑die、LPDDR、PIM等全栈解决方案。

同时随着AI能耗增加，存储厂商也开始强调HBM在节能价值。SK海力士预测称，HBM能效每改善10%，可带来单机架2%节能效果，系统级节能有重大意义。

SK海力士领跑HBM4 手明年才能追

摩根大通团队指，SK海力士9中旬宣布完成HBM4开发，并支持10Gb/s+带宽速度，准备进量产。该公告意味着客户样品开发已完成，预计很快将货用于CoWoS封装与系统级测试，最终结果有望在11炉。

相比之，其竞争手进度可能要等到2026年一季度才能追。

于HBM4定价谈判而言，关键因素是SK海力士手们能否达到其设定10Gb/s+标准，这一点与HBM3/3E周期类似。

分析师们指，延HBM4认证周期端投资节奏有一定压力。但随着HBM晶圆投片增加，传统DRAM产将被压缩。

面向未来：混合键合与边缘AI

由于芯片堆叠高度限制和能效比要求，摩根大通认为现在存储厂商正展现更高意愿，准备在20层HBM，甚至16层HBM4E中尝试混合键合（Hybrid Bonding）。虽然有无缝键合、良率低等技术挑战，但厂商研发投正在持续增长。

据三星管理层介绍称，相较传统热压键合，混合键合能将层数堆叠能力提升33%，同时改善散热性能20%。

不过小摩特别点，SK海力士似乎有信心使用热压键合推16层HBM4E。

同时随着AI产业焦点逐渐从训练转向推理应用，边缘AI也将成为存储市场重要增量。

华邦电子管理层预测，边缘AI硬件市场到2030年达到500亿美元，AI需求将逐渐沉，带来低延迟、低功耗、高带宽存储需求，以便在智能手机、汽车、家电等终端设备实现AI推理功能。